图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 BUV26 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 20A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 90V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 1.5V @ 1.2A, 12A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | - |
| 功率 - 最大 | 85W |
| 频率转换 | - |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220AB |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 90 V |
| 集电极最大直流电流 | 20 A |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.6@0.4A@6A|1.5@1.2A@12A V |
| 最大集电极基极电压 | 180 V |
| 工作温度 | -65 to 175 °C |
| 最大功率耗散 | 85000 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 集电极最大直流电流 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大功率耗散 | 85000 |
| 最大基地发射极电压 | 7 |
| 封装 | Rail |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 180 |
| 供应商封装形式 | TO-220AB |
| 最大集电极发射极电压 | 90 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 20A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.5V @ 1.2A, 12A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 90V |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 功率 - 最大 | 85W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.5 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 7 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 90 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 180 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 20 A |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 20 A |
| 集电极 - 基极电压 | 180 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 90 V |
| 发射极 - 基极电压 | 7 V |
| 功率耗散 | 85 W |
| 工作温度范围 | -65C to 175C |
| 包装类型 | TO-220AB |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极电流（DC ） | 20 A |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :90V |
| 功耗 | :85W |
| DC Collector Current | :20A |
| Operating Temperature Min | :-65°C |
| Operating Temperature Max | :175°C |
| Transistor Case Style | :TO-220 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| Weight (kg) | 0.0022 |
| Tariff No. | 85412900 |
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